Search results for "Fizikālā tvaiku nogulsnēšana"

showing 4 items of 4 documents

Grafēna un bismuta selenīda heterostruktūru sintēze un īpašības

2018

Grafēna un bismuta selenīda heterostrūkturu sintēze un īpašības . Nečiporenko A., zinātniskie vadītāji asoc. prof. Dr.chem. Donāts Erts., Mag. chem. Margarita Baitimirova. bakalaura darbs, 31 lappuses, 13 attēli, 2 tabulas, 37 literatūras avoti, 1 pielikums. Latviešu valodā. Darbā ir veikta Bi2Se3/grafēns heterostrūkturu sintēze ar fizikālo tvaiku nogulsnēšanas metodi, kā izejas materiālu izmantojot kristālisku Bi2Se3. Darbā tika pētītas Bi2Se3 nanostruktūru veidošanas sākumstadijas uz dažādos veidos apstrādāta grafēna un vizlas. Iegūtas heterostruktūras tika analizētas ar skenējošo elektronu mikroskopu un atomspēku mikroskopu.

FIZIKĀLĀ TVAIKU NOGULSNĒŠANABISMUTA SELENĪDSĶīmijaGRAFĒNS
researchProduct

Ultraplānu bismuta selenīda nanostruktūru iegūšanas metodes

2017

Ultraplānu bismuta selenīda nanostruktūru iegūšanas metodes. Biezā K., zinātniskie vadītāji - asoc. prof., Dr. ķīm., Donāts Erts, Dr. Jana Andžāne, Maģistra darbs, 49 lappuses, 25 attēli, 9 tabulas, 30 literatūras avoti, 5 pielikumi. Latviešu valodā. Bismuta selenīds ir topoloģiskais izolators, tas ir materiāls, kura lielākā daļa tilpumā ir dielektriķis, toties ārējā virsma ir vadoša. Topoloģisko īpašību uzlabošanai un tālākam praktiskajam pielietojumam svarīgi iegūt plānas nanostruktūras ar biezumu zem 10 nm, kam, savukārt, ir liela praktiska nozīme topoloģisko izolatoru fundamentālajos pētījumos un materiāla pielietojumam kā termoelektriķim. Darbā pielietotas vairākas metodes, lai iegūtu …

FIZIKĀLĀ TVAIKU NOGULSNĒŠANATERMISKĀS IZTVAICĒŠANAS METODEULTRAPLĀNAS NANOSTRUKTŪRASKODINĀŠANAS METODE AR ARGONA JONIEMBISMUTA SELENĪDSĶīmija
researchProduct

Slāņainu grafēns/Bi2Se3 struktūru sintēze

2016

Darbā uz elektroķīmiski pulētām vara pamatnēm tika sintezēts ķīmisko tvaiku nogulsnēts grafēns. Optimizēta grafēna pārnešanas procedūra, veicot grafēna pārnešanas procesā izmantotā poli(metilmetakrilāta) šķīdināšanu etiķskābes šķīdumos. Tika pārbaudīta grafēna kvalitāte pirms un pēc pārnešanas uz nevadošam pamatnēm izmantojot Ramana spektroskopiju, elektrovadītspējas mērījumiem un apskati skenējošā elektronu mikroskopā. Darbā ir izstrādāta horizontālu un dažādos leņķos orientētu bismuta selenīda nanostruktūru uz grafēna virsmas sintēzes metode. Ir noteikts iegūto slāņaino grafēns/Bi2Se3 struktūru termoelektriskais un fotoelektriskais efekts.

GrafēnsBismuta selenīdsFizikālā tvaiku nogulsnēšanaĶīmiskā tvaiku nogulsnēšanaĶīmija
researchProduct

CuO un Bi2Se3 nanovadu ar kontrolētām īpašībām iegūšana pielietojumiem nanoierīču aktīvajos elementos

2021

Pusvadītāju nanovadi ir perspektīvi materiāli pielietojumiem nanoelektromehāniskās (NEM) ierīcēs. Lai nanovadi būtu piemēroti industriāliem pielietojumiem, nepieciešams izstrādāt tādas sintēzes metodes, kas nodrošinātu paredzamu iznākumu, morfoloģiju, elektriskās un mehāniskās īpašības sintezētajiem nanovadiem. Lai nodrošinātu NEM slēdžu darbību ekstrēmos apstākļos, nepieciešams iegūt plašā temperatūru diapazonā pielietojamus nanovadus. Pielietojumiem istabas temperatūrā tika pētīti CuO un ar Sn dopēti Ge nanovadi. CuO nanovadi tika sintezēti ar pārveidotu termiskās oksidācijas metodi. Tika izpētīts, kā, papildinot termisko oksidāciju ar elektrisko lauku un ūdens tvaiku klātbūtni, iespējams…

nanovadsCuOtermiskā oksidācijaBi2Se3Fizikafizikālā tvaiku nogulsnēšana
researchProduct